中国光刻现状
中国光刻现状 – 半导体超音速喷涂 – 超声波雾化喷涂机 – 驰飞超声波喷涂
芯片生产过程中，需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上，而这种辅助的光学材料，就是光刻胶。
在光刻胶领域，材料主要分为四种，分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶，半导体工艺越高，光刻机的精度越高，照射的光线频率越高，波长越短。光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化，基本的演进路线是：g线（436nm）→i线（365nm）→KrF（248nm）→ArF（193nm）→F2（157nm）→EUV（<13.5nm）。
ArF光刻胶的制造难度是最高的，这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。芯片的工艺也分等级，平板电脑、汽车芯片等工艺水平并不高，真正困难的在于7nm的芯片。
这种工艺的手机芯片，不仅需要先进的EVU光刻机来生产，更需要高端的光刻胶作为辅助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生产出7nm芯片。光刻机被美国和荷兰的公司垄断，现在EVU光刻机对中国处于断供状态，中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货；芯片原材料，虽然国内已有部分原材料实现自主生产，但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。
另外，虽然断供了最先进的EVU光刻机，但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供，而DVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片，有公司以DVU光刻机实现制造了7nm芯片。这意味着，2022年，现有的光刻机技术或许能够提前量产7nm芯片。
因超声波喷涂具有精细可控喷涂流速、涂敷涂层薄且均匀、喷涂范围可控等优势非常适用于喷涂电子产品，并越来越多地用于研究和生产。超声喷涂技术可用于任何宽度的基材上沉积均匀的涂层。超声波喷涂技术能够以极高的均匀性制造这些非常薄的涂层，获得精细和可重复的结果，以提高产品的功能。
