芯片复杂度的多维度提升 芯片设计随着时间推移正在变得越来越复杂是业界人士的共识，但是究竟“复杂”体现在哪些方面，并且随着复杂度提升，还有哪些没有解决的问题，这就需要深入的考察和研究。芯片设计变得更复杂不仅仅体现在芯片晶体管规模变大上，还体现在SoC复杂度的提升上，而SoC复杂度提升会带来一系列的改变，包括设计方法学的变化，以及设计验证方面的新需求。这些新的变化和新需求将会驱动未来几年芯片设计的变革，今天从芯片复杂度的多维度提升这一点来进行分析。 随着人工智能、智能汽车等新应用的出现，芯片复杂度正在慢慢提升。芯片复杂度的提升可以是一件多维度的事情，一方面，它可以体现在晶体管数量的增大上；另一方面，它也可以体现在芯片中复杂子系统的数量上。 但是晶体管数并非唯一考量。例如，在一些芯片中，片上内存（如缓存）可以占据相当大的门数，但是其整体设计复杂度未必会很高。因此，另一个芯片复杂度的观察角度是芯片子系统的数量。在SoC中，每一个芯片子系统都有其独特的功能，而且当芯片子系统数量更多时，如何让这些子系统能很好地工作在一起就是一件具有挑战性的事情。因此，芯片的子系统数量也是衡量整体芯片复杂度的一个重要指标。然而，芯片子系统的数量并不容易统计，而一个可以和这个数字挂钩的数据就是芯片上使用的处理器数量。通常，当芯片子系统的复杂度超过一定程度时，都会单独配有一个为它服务的嵌入式处理器。因此，统计一个芯片上嵌入式处理器的数量可以从一定程度上体现芯片上复杂系统的数量，从而体现芯片设计复杂度。 从芯片上嵌入式处理器数量的角度，首先我们可以看到今天74%的芯片拥有至少一个嵌入式处理器；而一半以上的芯片项目拥有两个以上的嵌入式处理器，15%的处理器有8个以上的嵌入式处理器。从这个角度来看，今天的芯片设计从系统角度也确实是越来越复杂。 [...]

燃料电池催化剂介绍 燃料电池催化剂是燃料电池中重要的组成部分，用来促进电池的反应，提升效率，改善环境性能，减少电池的耗材消耗，是燃料电池发展的关键技术。 一、催化剂的种类 1、基于金属的催化剂。金属催化剂是以金属元素为主要原料，加入其他辅助材料制备的催化剂，它的结构形状可以是晶体、微粒或者混合型。其中常用的金属催化剂包括铂族金属催化剂、钯族金属催化剂、铑族金属催化剂等。 2、基于非金属的催化剂。非金属催化剂主要是由一定的非金属元素组成，其中常用的非金属催化剂包括有机催化剂、氧化物催化剂、碳催化剂和碳催化剂等。 [...]

医疗电子MCU面临的挑战 医疗电子终端设备对于安全性可靠性的标准非常高，医疗电子领域MCU需要通过芯片安全性可靠性的标准。据了解，关于芯片安全可靠性的标准主要有IEC 61508 SIL3功能安全认证、NISTFIPS140-2以及IS0 26262功能安全管理体系认证等等。具备强大的安全性是大量无线智能医疗设备实现持续稳定增长的前提。设备开发人员使用经过安全认证的芯片才能保障设备数据足够安全。 [...]

芯片验证将成为重中之重 除了新的设计IP之外，复杂芯片的验证将会成为另一个挑战。如前所述，复杂芯片包括了越来越多的子系统，首先每一个子系统的验证随着其复杂度的提升会越来越具有挑战性。其次，多个复杂子系统的协同工作和验证将会成为另一个芯片验证的难点。最后，芯片系统中每个子系统存在异质性，例如，高性能模拟/混合信号模块（例如内存接口等）越来越多地使用在复杂芯片系统中，这也给整体芯片系统的验证带来了挑战，因为不同的子系统的验证方法并不一致。 芯片验证首先需要提高效率，降低需要的时间。 除此之外，芯片首次流片成功的比例也在下降，在2022年高达76%的项目需要两次或更多的流片才能实现设计目标。在导致芯片需要多次流片的原因中，首要原因是逻辑功能问题，而另一个值得注意的原因是模拟模块出现问题：该项目在2020年和2022年占到从几年前的20%一跃到了40%，这也说明模拟设计相关的验证，以及模拟模块和其他模块的协同验证将会成为未来复杂芯片验证领域非常重要的尚需解决的问题。 展望未来，复杂芯片的验证首先需要更加高效率的验证流程，例如使用更加高效的描述语言，从而保证芯片项目能定期交付。在效率之外，由于逻辑功能仍然是芯片流片失败的首要问题，而随着芯片系统复杂度提升这方面的问题会越来越大，因此对于可靠的验证方式提出了要求，需要能进一步降低成本，并且提升对于复杂系统的支持，从而确保复杂芯片系统的质量。最后，模拟验证预计会成为未来复杂芯片系统中的关键一环，这包括了模拟验证，以及模拟和数字系统的协同验证（例如模拟系统建模放到数字系统中验证等），这对于新验证方法论的采用和新的EDA系统都提出了新的需求，预计会成为未来几年验证领域的另一个重头戏。 [...]

钙钛矿太阳能电池面临挑战 有机-无机卤化铅钙钛矿太阳能电池（PSCs）具有优良的性能，在过去的几年里光电转换效率PCEs已经从3.8%增加到25.7%。但钙钛矿太阳能电池普遍以甲胺（MA）或甲脒（FA）为有机阳离子成分，导致在加热、潮湿和阳光照射下影响器件的稳定性。 为了克服这个问题，近年来广泛研究了成分为CsPbX3（X=Cl、Br和I）的无机钙钛矿太阳能电池。除了钙钛矿层的优化，太阳能电池中的界面或传输层的能量损失也不容忽视。长期以来，TiO2是最广泛使用的电子传输层（ETL）材料，但其低电荷传导率和高温工艺不利于获得高效和稳定的PSC。相比之下，SnO2电子传输层具有低温可加工性、高电子传导性、高光学透射率和合理的能带。 目前，已报道了多种SnO2纳米晶体（SnO2 NCs）的合成方法，包括回流法、水热法、溶剂热法、微波辅助法和常温溶液搅拌法等。此外，还研究了多种添加剂来调节SnO2纳米晶体的合成过程，如四甲基氢氧化铵（TMAH）、四丁基氢氧化铵（TBAOH）、氢氧化铵（NH3-H2O）、硫脲等。然而，要完全满足PSC的要求，SnO2纳米晶体的可控生长仍面临挑战。 [...]

植入医疗器械的涂层重要性 植入医疗器械是指：任何借助外科手术，器械全部或者部分进入人体或自然腔道中，在手术过程结束后长期留在体内，或者这些器械部分留在体内至少30天以上，这些器械被认为是植入器械。 植入器械主要包括骨钉和骨板等植入装置，人工关节和心脏等植入人工器官，人工皮肤等接触式人工器官、角膜支架、血管支架和食道支架，植入式助听器和外置人工喉头其他辅助设备。 由于与人体接触的时间长，植入式医疗器械上的涂层除了摩擦系数低、耐磨、耐腐蚀外，还需要更好的生物相容性。此外，抗菌性能对于确保植入物的长期使用也很重要。目前常用的植入材料主要由钛合金，钴铬合金、镍钛合金、一些不锈钢和镁合金。为了使植入材料更好的应用于人体，通常会采用涂层技术来改善其表面性能。 涂层的生物相容性是其在医疗器械中应用的前提条件。尤其是植入设备的生物相容性和相关质量直接关系到患者的生命安全，需要经过严格的生物学评价。 [...]

氧化镓主要分类 导电型（氧化镓同质外延）、半绝缘型（同质外延）、高纯型（同质外延）分别在肖特基二极管、场效应晶体管、传感器和光电衬底的应用方向，主要应对下游市场为新能源汽车、家电、工业变频、光伏、电焊机、工业变频、高铁、智能电网、工业电机、国防军工，发光二极管、电网安全检测、国防军工、森林消防、智慧高速、智慧家居等； 氧化镓/氮化镓（异质外延）、氧化镓/蓝宝石（异质外延）分别在射频器件、传感器件的应用主要应对下游市场通信基站装置、发光二极管、电网安全检测、国防军工、森林消防、智慧高速、智慧家居、气敏传感安全检测等等，应用场景广泛、受众群体众多。 超声波喷涂技术用于半导体光刻胶涂层。与传统的旋涂和浸涂工艺相比，它具有均匀性高、微观结构良好的封装性和可控制的涂覆面积大小等优点。在过去的十年中，已经充分证明了采用超声喷涂技术的3D微结构表面光刻胶涂层，所制备的光刻胶涂层在微观结构包裹性和均匀性方面都明显高于传统的旋涂。 超声波喷涂系统可以精确控制流量，涂布速度和沉积量。低速喷涂成形将雾化喷涂定义为精确且可控制的模式，以在产生非常薄且均匀的涂层时避免过度喷涂。超声喷涂系统可以将厚度控制在亚微米到100微米以上，并且可以涂覆任何形状或尺寸。 [...]

PEM燃料电池中的湿度和水分 为了正确运行燃料电池，质子交换膜必须保持水分。如果它们没有完全加湿，则电导率会降低，因此在质子传输现象中会消耗更多的能量。如果它变得太干，膜就会停止作为质子转运体的功能。由于氢燃料电池消耗氢和氧来产生电和水，因此周围似乎应该有大量的水。如果多余的水被去除，这会产生潜在的淹没催化剂层的问题。 氢气和氧气（或空气）需要到达催化剂位点和膜才能转化为电能。然而，如果催化剂层有任何液态水，它会覆盖催化剂，气体无法到达它，基本上使水下的催化剂无用——显著减少将 H 2和 [...]

医疗电子终端设备发展趋势 目前，医疗电子终端设备正在往智能化，便携化方向发展。随着智慧医疗产业的发展，越来越多的人重视智能医疗产品和公共医疗卫生领域的投入，更多的智能医疗电子终端产品出现在我们的生活中，智能医疗终端治疗仪、智能医疗电子终端手环，智能医疗电子终端血糖检测器等，为我们提供了更安全简单的智能医疗服务，而这些产品也呈现出一种便携化的趋势。 医疗电子终端设备智能化、便携化对于MCU的性能都提出了更高的要求，未来选用的MCU必须具备高性能、高集成度、高运算能力、低功耗的特质。 超声波球囊喷涂机是一款医疗导管喷涂设备，专业针对球囊或者导管表面的药物涂层制备。与传统的浸渍涂层、二流体喷涂等技术相比，超声波喷涂技术可以制备出更加均匀的薄膜涂层。设备配有专业的球囊导管夹具，可针对各种规格不一的导管进行针对性的药物涂覆。设备具体上药量精准、膜层均匀、药液利用率高等特点。与此同时，超声波喷涂技术还具有可控性强，薄膜制备更加稳定和可重复喷涂等优势。驰飞在植入医疗设备（例如药 物支架和球囊）的表面涂层方面拥有丰富的经验，可为客户提供完整的解决方案。 [...]

氧化镓Ga2O3 氧化镓单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。氧化镓是一种来自日本的新型半导体晶体材料，可以廉价地生产高质量、大型单晶基板，有望成为下一代功率器件材料，其潜力超过氮化镓和碳化硅；氧化镓由于低成本及与GaN的低失配的特性，可用于GaN材料的外延衬底，Ga2O3具有4.9eV的极宽带隙，超过了SiC和GaN显示的3.3eV，此特性使其制作的器件比由禁带较窄材料组成的器件更薄、更轻，并且能应对更高的功率，宽禁带允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却器件系统的需求，这种差异使Ga2O3能够承受比硅、SiC和GaN更大的电场，而不会被击穿。 此外，Ga2O3能在更短的距离上处理相同量的电压，这使得生产更小、更高效的大功率晶体管变得非常有价值。Ga2O3看起来非常适用于电动汽车充电的配电系统，或者将电力从风力涡轮机等替代能源输送到电网的转换器。Ga2O3的优势还有作为金属氧化物半导体场效应晶体管（更为人所知的MOSFETS）的潜力。传统上，这些微小的电子开关是由硅制成的，用于笔记本电脑、智能手机和其他电子产品。对于像电动汽车充电站这样的系统，我们需要能在比硅基器件更高的功率水平下工作的MOSFETS，而这正是Ga2O3可能成为解决方案的地方。在微电子器件中，带隙是决定材料电导率的主要因素，带隙宽的物质通常是不导电的绝缘体，带隙窄的物质是半导体。  杭州驰飞的超声波喷涂机是喷涂助焊剂的系统。超声波喷涂系统喷涂助焊剂而不堵塞，从而提高准确性，提高生产速度并减少过量喷涂。 [...]