芯片制造的核心技术之光刻
芯片制造的核心技术之光刻 – 聚酰亚胺喷涂 – 驰飞超声波喷涂
在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。
光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤是：1、涂布光致抗蚀剂；2、套准掩模板并曝光；3、用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；4、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；5、去除已感光的光致抗蚀剂层。
刻蚀
刻蚀是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。
离子注入
离子注入是一种将特定离子在电场里加速，然后嵌入到另一固体材料之中的技术手段。离子注入可以导致核转变，或改变某些固体材料的晶体结构。
光刻胶的去除
光刻胶的主要功能是在整个区域进行化学或机械处理工艺时，保护光刻胶下的衬底部分。所以当刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作保护层，光刻胶应全部去除，这一步骤简称去胶。去胶分为湿法去胶和干法去胶。
除了这些主要的工艺以外，还经常采用一些辅助过程，比如进行大面积的均匀腐蚀来减小衬底的厚度，或者去除边缘不均匀的过程等等。一般在生产半导体芯片或者其它元件时，一个衬底需要多次重复光刻。
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超声喷涂系统可以使用先进的喷涂技术来精确控制流速、镀膜速度和沉积量。低速喷涂成型将雾化喷涂定义为精确，可控的图案，在生产非常薄且均匀的涂层时避免过度喷涂。事实证明，使用超声波技术进行喷涂是在3D微结构上沉积光致抗蚀剂的可靠且有效的方法，从而减少了由于过多的金属暴露于蚀刻剂而导致的设备故障。
超声波喷涂系统已被证明适用于需要均匀、可重复的光致抗蚀剂或聚酰亚胺薄膜涂层的各种应用。杭州驰飞的喷涂系统可以控制从亚微米到100微米以上的厚度，并且可以涂覆任何形状或尺寸。它是其他涂层技术（例如旋涂和传统喷涂）的可行替代方案。
