兆声波清洗系统
随着半导体集成电路制程工艺节点越来越先进,对实际制造的几个环节也提出了新要求,清洗环节的重要性日益凸显。清洗的关键性则是由于随着特征尺寸的不断缩小,半导体对杂质含量越来越敏感,而半导体制造中不可避免会引入一些颗粒、有机物、金属和氧化物等污染物。为了减少杂质对芯片良率的影响,实际生产中不仅仅需要提高单次的清洗效率,还需要在几乎所有制程前后都频繁的进行清洗,清洗步骤约占整体步骤的33%。
兆声能量是目前使用非常广泛的清洗方法。在附加了兆声能量后,可大幅降低溶液的使用温度以及工艺时间,而清洗效果更加有效。常用兆声清洗的频率为800kHz—1 MHz,兆声功率在100一600W。相对于超声清洗,兆声清洗的作用更加温和。应根据需要去除的颗粒大小及晶圆表面器件能承受的冲击力,选用合适的振动频率。一般兆声清洗适于清除的颗粒大小为0.1~0.3 μm,超声清洗适于清除的颗粒大小在 0.4 μm 以上。
兆声波清洗技术
- CMP化学机械抛光
- 键合前清洗
- 掩膜清洗
- 显影
- Lift-off金属剥离
- 湿法刻蚀
- 镜头清洗
- 显示屏等微电子行业精密清洗
- 多种频率可供选择
- 清洗效果卓越
- 多种兆声清洗方式可供选择
- 多种槽体结构、材质,适合多种清洗溶液
- 更高的稳定性和耐久性
- 兆声清洗的作用更加温和,不会对器件表面造成损伤
- 超高清洗精度,可去除物体表面0.1~0.3 μm的污渍颗粒
- 高防腐性,可耐各种酸碱溶液及有机溶剂
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