在半导体芯片制造领域，随着晶圆尺寸的增大及多层金属互联技术的应用，化学机械平坦化（CMP）成为一种不可或缺的实现表面全局平坦化的技术。在 CMP 制程中，由于化学反应及抛光液中研磨微粒的存在，必然会引入表面玷污，因此在晶片表面全局平坦化之后必需进行有效清洗。 典型的 CMP 后清洗制程包括兆声清洗、刷洗、旋转干燥等，兆声清洗作为其中关键一环，其清洗效果的好坏影响最终的晶圆清洗效果。

在微电子制作中的应用 ,使得化学品和超纯水的用量大量减少 ,晶片在化学液中的停留时间减少 ,传统清洗法和超声清洗系统相比对基体特征的损伤最小。利用兆赫兹波产生的液体流动来实现清洗的过程，具有清除深亚微米颗粒的能力，可满足0.1微米线宽技术对清洗工艺的需求，已经广泛应用于硅基芯片制程中的清洗工艺。至今兆声波清洗方法已成为抛光片清洗中应用最广泛有效的一种方法。一般兆声清洗适于清除的颗粒大小为0.1~0.3 μm，超声清洗适于清除的颗粒大小在 0.4 μm 以上。兆声清洗的作用更加温和。因此应根据需要去除的颗粒大小及晶圆表面器件能承受的冲击力，选用合适的振动频率。