光刻胶的正性和负性有什么区别
我想很多人可能听说过，老旧的金属机身相机(银盐照片)中有底片、正片等词语，在光刻中所用的光刻胶也存在负性、正性。负性光刻胶在光照射到的地方会留下图形，而正性光刻胶在光照射不到的地方会留下图形。因此，同一掩膜版，使用负性光刻胶和正性光刻胶得到的图形是截然相反的。
正性光刻胶：正性光刻胶的感光材料是重氮萘醌并与酚醛树脂结合而成，在曝光后，光刻胶的曝光部分会发生化学变化，在显影液中可被溶解，而未曝光部分则保持不变，从而在衬底上形成与掩膜版相同图形的光刻胶图案。
负性光刻胶：负性光刻胶由感光材料+聚合物组成，光照射后进一步聚合，不溶于作为显影液的有机溶剂，也就是说，光刻胶的曝光部分会发生交联等化学变化，使得这部分在显影液中不溶解，而未曝光部分可被溶解，从而在衬底上形成与掩膜版相反图形的光刻胶图案。
相比而言，因为负性光刻胶发生的是聚合反应，在分辨率方面处于劣势，因此先进工艺中更常用的是正性光刻胶。
分辨率差异
正性光刻胶：通常具有较高的分辨率，能够形成更精细的图案。这是因为其在曝光区域的溶解特性使得边缘更加清晰，减少了模糊和扩散。
负性光刻胶：分辨率相对较低，由于曝光部分的交联反应可能导致图案边缘不够锐利，容易出现一定程度的扩散。
对比度差异
正性光刻胶：对比度较高，即曝光部分和未曝光部分在显影液中的溶解速率差异较大，这有助于形成清晰的图案边界。
负性光刻胶：对比度相对较低，曝光部分和未曝光部分的溶解速率差异不如正性光刻胶明显。
灵敏度差异
正性光刻胶：一般灵敏度较低，需要较高的曝光剂量才能使光刻胶充分反应。
负性光刻胶：灵敏度较高，较低的曝光剂量就可以引发交联反应。
应用场景差异
正性光刻胶：适用于对分辨率要求较高的集成电路制造，如先进的半导体芯片制程。在微机电系统（MEMS）、平板显示等领域也有广泛应用，用于制作精细的结构和图案。
负性光刻胶：常用于一些对分辨率要求不那么极致，但需要较高的抗刻蚀能力的场合，如某些厚膜光刻工艺。在一些特殊的工艺中，如制作浮雕结构或需要较厚光刻胶层的情况，负性光刻胶可能更具优势。
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